收藏本站
TT8K2
Nch 30V 2.5A Power MOSFET
l Outline
Datasheet
V DSS
R DS(on) (Max.)
30V
90m W
TSST8
(8)
(7)
(6)
(5)
I D
2.5A
(1)
(2)
l Features
P D
1.25W
l Inner circuit
(3)
(4)
1) Low on - resistance.
2) Built-in G-S Protection Diode.
3) Small Surface Mount Package (TSST8).
(1)
(2)
(3)
(4)
Tr1 Source
Tr1 Gate
Tr2 Source
Tr2 Gate
(5)
(6)
(7)
(8)
Tr2 Drain
Tr2 Drain
Tr1 Drain
Tr1 Drain
4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
* 1 ESD PROTECTION DIODE
* 2 BODY DIODE
l Packaging specifications
Packaging
Taping
l Application
Reel size (mm)
180
DC/DC converters
Type
Tape width (mm)
Basic ordering unit (pcs)
Taping code
Marking
8
3,000
TR
K02
l Absolute maximum ratings (T a = 25°C) <It is the same ratings for the Tr1 and Tr2>
Parameter
Drain - Source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current
Gate - Source voltage
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/11
Symbol
V DSS
I D *1
I D,pulse *2
V GSS
P D *3
P D *4
T j
T stg
Value
30
? 2.5
? 10
? 12
1.25
1.00
0.55
150
- 55 to + 150
Unit
V
A
A
V
W / total
W / element
W / total
°C
°C
2012.10 - Rev.B
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
TT8M2TR MOSFET N/P-CH 30V 2.5A TSST8
TT8U1TR MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
TXN310110000000 TXRX OPT SFF 2/1GBPS 850NM VCSEL
U5151-000005-030PA SENSOR 30PSIA 1/4NPT 4-20MA 2'
UB01KW035C-CC INDICATOR SQ RED ILLUM RED CAP
UB201KW036G-3JB INDICATOR PB BLU ILL SQ FLAT CAP
UM5K1NTR MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-353
UM6J1NTN MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6
相关代理商/技术参数
TT8M1 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch + Pch MOSFET
TT8M11 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch + Pch MOSFET
TT8M2 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOSFET 1.5V Drive Pch MOSFET
TT8M2_09 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOSFET 1.5V Drive Pch MOSFET
TT8M2TR 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.5A TSST8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
TT8M3 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch + Pch MOSFET
TT8O 功能描述:电缆组件 SNGLE 3COND PTCH COR RoHS:否 制造商:Molex 产品:Power Assemblies 类型:Cable Assembly 连接器端口 A:No Connector 连接器端口 A 管脚计数:4 连接器端口 B:No Connector 连接器端口 B 管脚计数: 型式:Male 线规 - 美国线规（AWG）:20, 28 长度:0.305 m 颜色:Black, Red
TT8OX 功能描述:PATCHCORD SGL 3COND ORANGE 8FT RoHS:是 类别:电缆组件 >> 套管 - 音频 系列:TT 标准包装:1 系列:- 第一连接器:音频（RCA）插头 第二连接器:音频（RCA）插头 通道:单声 长度:15.0'（4.57m） 颜色:黑 屏蔽:- 使用:多媒体缆线